La memoria ad accesso casuale ferroelettrica (FRAM) è un tipo di memoria non volatile per computer che combina la velocità della memoria ad accesso casuale (RAM) con la non volatilità della memoria flash. È un tipo di memoria ad accesso casuale non volatile (NVRAM) con una velocità di lettura elevata e un consumo energetico relativamente basso, che la rendono un'alternativa interessante alle tradizionali DRAM e SRAM. La FRAM è anche un tipo di RAM ferroelettrica, ovvero un tipo di memoria per computer che utilizza materiali con un momento di dipolo elettrico permanente, noti come materiali ferroelettrici.
La FRAM funziona memorizzando i dati nello strato ferroelettrico del chip di memoria. Quando viene applicata una tensione al chip, il materiale ferroelettrico cambia la sua polarizzazione e questo cambiamento di polarizzazione viene utilizzato per memorizzare i dati. Anche la lettura dei dati avviene applicando una tensione al chip e rilevando il cambiamento di polarizzazione. Poiché i dati vengono memorizzati come cambiamento di polarizzazione, non devono essere aggiornati come le DRAM e le SRAM tradizionali, il che li rende più veloci e più efficienti dal punto di vista energetico.
Il vantaggio principale della FRAM è la velocità e l'efficienza energetica. Può leggere i dati più velocemente della DRAM e della SRAM e non ha bisogno di essere aggiornata come la DRAM e la SRAM tradizionali. Inoltre, ha un basso consumo energetico, che la rende interessante per le applicazioni mobili.
Il principale svantaggio della FRAM è il suo costo. È molto più costosa delle tradizionali DRAM e SRAM e la sua capacità è limitata. Inoltre, la sua velocità di scrittura è molto più lenta rispetto a DRAM e SRAM, il che la rende inadatta ad applicazioni che richiedono frequenti scritture e riscritture di dati.
La FRAM è comunemente utilizzata nei sistemi embedded, come quelli presenti nell'elettronica di consumo, nei sistemi automobilistici e nell'automazione industriale. Viene utilizzata anche nei dispositivi medici, nei sistemi di sicurezza e nelle applicazioni aerospaziali.
Si prevede che le FRAM diventino sempre più popolari in futuro, dato che i loro vantaggi sono sempre più riconosciuti. Anche la sua capacità e la sua velocità sono destinate ad aumentare, rendendola un'alternativa interessante alle tradizionali DRAM e SRAM.
La memoria ferroelettrica ad accesso casuale (FRAM) è un tipo di memoria non volatile per computer che combina la velocità della memoria ad accesso casuale (RAM) con la non volatilità della memoria flash. È un tipo di memoria ad accesso casuale non volatile (NVRAM) con una velocità di lettura elevata e un consumo energetico relativamente basso, che la rendono un'alternativa interessante alle tradizionali DRAM e SRAM. I suoi principali vantaggi sono la velocità e l'efficienza energetica, mentre il suo principale svantaggio è il costo. È comunemente utilizzata nei sistemi embedded, come quelli presenti nell'elettronica di consumo, nei sistemi automobilistici e nell'automazione industriale. Si prevede inoltre che diventerà sempre più popolare in futuro, dato che i suoi vantaggi saranno sempre più riconosciuti.
FRAM: Ferroelectric Random Access Memory
DRAM: Dynamic Random Access Memory
SRAM: Static Random Access Memory
NVRAM: Non-Volatile Random Access Memory
RAM ferroelettrica: Un tipo di memoria per computer che utilizza materiali con un momento di dipolo elettrico permanente, noti come materiali ferroelettrici.
La FRAM, o RAM ferroelettrica, è un tipo di RAM non volatile che utilizza una pellicola ferroelettrica per memorizzare i dati. La FRAM è più veloce della EEPROM tradizionale e ha una durata illimitata, il che significa che può essere cancellata e riscritta un numero illimitato di volte. La RAM, o memoria ad accesso casuale, è un tipo di memoria volatile utilizzata per memorizzare i dati attualmente utilizzati dalla CPU. La RAM è più veloce dei dischi rigidi tradizionali e può essere acceduta in modo casuale, il che significa che è possibile accedere a qualsiasi posizione senza dover accedere ai dati in modo sequenziale.
La FRAM è un dispositivo di memoria non volatile. Ciò significa che non richiede alimentazione per mantenere i dati memorizzati.
La FRAM è un tipo di memoria non volatile utilizzata in diversi dispositivi elettronici. La FRAM è simile ad altri tipi di memoria non volatile, come la EEPROM e la memoria flash, ma presenta diversi vantaggi rispetto a questi altri tipi di memoria. La FRAM è più resistente alle radiazioni rispetto ad altri tipi di memoria, il che la rende ideale per l'uso in applicazioni spaziali. La FRAM è anche più veloce di altri tipi di memoria non volatile, il che la rende ideale per l'uso in applicazioni ad alta velocità.
La memoria ferroelettrica funziona memorizzando i dati in piccoli cristalli ferroelettrici. Quando si applica una tensione ai cristalli, questi cambiano leggermente forma e questo cambiamento di forma può essere utilizzato per memorizzare i dati. I dati possono essere letti applicando una tensione ai cristalli e misurando il cambiamento di forma risultante.
La FRAM non è volatile perché è costituita da materiale ferroelettrico, il che significa che può mantenere una carica anche quando viene tolta l'alimentazione. Ciò la rende ideale per le applicazioni in cui i dati devono essere memorizzati per lunghi periodi di tempo o per quelle in cui è necessario conservarli in caso di interruzione dell'alimentazione.