ReRAM, o celle di memoria resistive, è un tipo di memoria non volatile che condivide alcune somiglianze con la memoria a cambiamento di fase poiché entrambe sono considerate tipi di tecnologie memristor.
ReRAM, chiamato anche RRAM (Resistive Random Access Memory), è considerato un tipo di tecnologia a memristor un dispositivo elettronico passivo a due terminali progettato per esprimere solo la proprietà di un componente elettronico che gli consente di ricordare l'ultima resistenza che aveva prima essere spento ("memristance").
Come funziona ReRAM
ReRAM memorizza i dati utilizzando gli ioni (atomi carichi) come cambiamenti nella resistenza elettrica, piuttosto che gli elettroni. Secondo i ricercatori della J lich Aachen Research Alliance (JARA), la memoria resistiva può ridurre il consumo di energia dei moderni sistemi IT aumentando le prestazioni.
Nelle celle di memoria a commutazione resistiva (ReRAM), gli ioni si comportano su scala nanometrica in modo simile a una batteria. Le celle hanno due elettrodi, ad esempio in argento e platino, in corrispondenza dei quali gli ioni si dissolvono e quindi precipitano di nuovo. Ciò modifica la resistenza elettrica, che può essere sfruttata per la memorizzazione dei dati. Inoltre, i processi di riduzione e ossidazione hanno anche un altro effetto che generano tensione elettrica. [Fonte: JARA]
Attualmente diverse aziende hanno versioni brevettate di ReRAM. Diverse forme di ReRAM si basano sull'utilizzo di diversi materiali dielettrici, inclusi gli ossidi di metallo.