Moduli DDR5 con 512 GB per i futuri server

Per la fine del 2021, i primi processori per server dovrebbero usare DDR5 come memoria principale. Samsung ha presentato dei moduli di memoria veloci adatti che raggiungono una capacità fino a 512 GB utilizzando High-K Metal Gate (HKMG) e lo stacking.

Per i moduli di memoria DDR4 per server, il capolinea è stato raggiunto a 256 GB. Samsung Semiconductor ha annunciato moduli DDR5 per la prossima generazione di server, che raggiungeranno il doppio della capacità con fino a 512 GB e sono anche due volte più veloci con fino a 7.200 Mbps. Samsung sta utilizzando il processo High-K Metal Gate (HKMG), precedentemente utilizzato nella produzione di CPU e dal 2018 da Samsung per GDDR6, che riduce drasticamente le correnti di perdita del gate e permette anche il funzionamento a una tensione inferiore. "Samsung è l'unica azienda di semiconduttori nel segmento dei processori e delle memorie con la capacità di utilizzare la tecnologia avanzata HKMG per la produzione di memorie", ha detto Young-Soo Sohn, vice presidente del DRAM Memory Planning/Enabling Group di Samsung Electronics.

Secondo Samsung, i moduli DDR5 sarebbero circa il 13% più economici in questo modo, il che significa risparmi significativi per i data center. L'alta capacità è ottenuta usando la tecnologia Through Silicon Via (TSV) per combinare otto strati di chip da 16 gigabit prodotti con un processo da 10 nm in un modulo di memoria ciascuno. Il produttore ospita fino a 40 chip SDRAM su un modulo di memoria. Dei 640 GB totali di capacità, 512 GB possono essere utilizzati direttamente, mentre i restanti 128 GB sono utilizzati per la correzione degli errori tramite ECC.

Samsung vede applicazioni per i nuovi moduli di memoria di grandi dimensioni nei carichi di lavoro di supercomputing intensivi e affamati di banda, per l'AI e l'apprendimento automatico e l'analisi dei dati.

Prima per Intel Sapphire Rapids

Il primo processore a utilizzare i moduli DDR5 sarà la generazione Xeon di Intel dopo la prossima. "I team di sviluppo di Intel stanno lavorando a stretto contatto con i produttori di memoria come Samsung per fornire una memoria DDR5 veloce e a basso consumo, compatibile e ottimizzata nelle prestazioni per i nostri prossimi processori scalabili Xeon, nome in codice Sapphire Rapids", ha detto Carolyn Duran, vice presidente e GM di Memory and IO Technology di Intel. Attualmente, Samsung sta ancora fornendo a clienti selezionati diverse varianti dei moduli DDR5 come campioni di prova in modo che possano essere verificati e certificati.


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